纳米晶体磁性合金及其热处理方法

专利号：CN201680008309.2

公布日：2020-09-04

申请人：梅特格拉斯公司;日立金属株式会社

铜合金

专利号：CN202080076604.8

公布日：2022-06-10

申请人：先进合金控股私人有限公司

含钴铬铂硼铼溅镀靶材、含钴铬铂硼铼层及其制法

专利号：CN201810733410.5

公布日：2021-03-05

申请人：光洋应用材料科技股份有限公司

信息记录介质及其制造法和记录再生装置

专利号：CN200880119382.2

公布日：2010-11-17

申请人：松下电器产业株式会社

脱水催化剂、制备方法及使用其生产二羟基酚化合物的一烷基醚的方法

专利号：CN98108882.1

公布日：2003-04-02

申请人：宇部兴产株式会社

铁氧体烧结磁铁、电动机及发电机

专利号：CN201910137327.6

公布日：2019-09-03

申请人：TDK株式会社

原子序重排方法

专利号：CN202080001150.8

公布日：2020-10-27

申请人：深圳晶泰科技有限公司

切削工具

专利号：CN202180071677.2

公布日：2023-07-04

申请人：住友电工硬质合金株式会社

一种测量原子弛豫率的装置及方法

专利号：CN202310268772.2

公布日：2023-07-07

申请人：中国计量科学研究院

硫族化物材料和包括硫族化物的半导体存储器件

专利号：CN202211088815.0

公布日：2023-04-21

申请人：爱思开海力士有限公司

一种含铌镍钛系形状记忆合金及其制备方法和应用

专利号：CN201610536650.7

公布日：2016-11-16

申请人：苏州市皎朝纳米科技有限公司

氮、硫配位占比可控的铁单原子-硫正极材料及其制备方法

专利号：CN202310875626.6

公布日：2023-10-03

申请人：西安理工大学

半导体结构

专利号：CN200810093526.3

公布日：2009-02-25

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

GaAs半导体衬底及其制造方法

专利号：CN200710167164.3

公布日：2008-12-03

申请人：住友电气工业株式会社

存储器器件

专利号：CN202010136330.9

公布日：2021-05-11

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司